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  第四代半導體材料氧化鎵具有耐壓、電流、功率、損耗等優勢，已被國際認可并開啟產業化。氧化鎵作為第四代半導體材料，具有獨特的材料特性和優勢，但其產業化仍面臨著成本、器件產業鏈和示范性應用等問題。

  第三代半導體是指寬禁帶半導體，包括碳化硅（SIC）和氮化鎵（GaN）這兩種禁帶寬度超過3eV的材料，剛剛開始大規模應用。第三代半導體材料具有高電子遷移率、高擊穿電場強度、高溫穩定性等優點，可用于高功率、高頻率電子器件。

  第四代半導體中的超寬禁帶指的是氧化鎵、金剛石、氮化鋁等材料，其中只有氧化鎵已經實現大尺寸突破（6英寸），預計未來3-5年可以實現大規模應用。第四代半導體材料具有更好的電學性能和更廣泛的應用前景，將成為未來半導體產業的重要發展方向。

  氧化鎵的產業化相對簡單，因為作為寬禁帶材料，氧化鎵的芯片制造過程抗干擾能力很強，可以用GaN的現成芯片產線就可以制造氧化鎵器件。幾乎所有的研發單位都是有GaN基礎，從GaN轉過來，不用新建實驗環境，直接就在之前的HMDS真空烘箱設備上就能做氧化鎵開發。

HMDS真空烘箱優點

 材質：內箱采用316L醫用級不銹鋼

工藝溫度：100-150℃

溫度分辨率：0.1℃

溫度波動度：≤±0.5

真空度：≤1torr

操作界面：人機界面，一鍵作業

層數:1-2層

HMDS控制:可控制HMDS藥液的添加量

圖像處理：圖像反轉

真空泵: 進口無油泵

保護裝置：緊急停止，HMDS藥液泄漏報&警提示，HMDS低液位報&警，超溫保護，漏電保護，過熱保護等

HMDS真空烘箱 hmds烘箱  hmds預處理烤箱使基底表面由親水性變為疏水性，增強表面的黏附性（HMDS-六甲基二硅胺烷）。適用于硅片、麟化銦、砷化鎵、陶瓷、氮化鎵、氧化稼、不銹鋼、硫化鋅、鈮酸鋰、石英玻璃、藍寶石、晶圓等材料。